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Mémoire SDRAM DDR4

Mémoire SDRAM DDR4


DDR4 SDRAM était la quatrième génération de SDRAM qui a introduit un certain nombre de développements supplémentaires pour permettre un fonctionnement plus rapide.

La DDR4 SDRAM a été développée en raison du besoin croissant de l'industrie pour une mémoire plus performante et dans ce cas la SDRAM. Il a été introduit pour la première fois vers la seconde moitié de 2016.

Principes de base de la DDR4 SDRAM

La DDR4 SDRAM a fourni une amélioration significative des performances par rapport aux puces DDR3 précédentes. Un résumé de certains des points forts de la DDR4 SDRAM est répertorié ci-dessous:

  • Débits de données: Au moment de l'introduction de la DDR4, il était prévu que la DDR3 atteindrait un pic à un débit de 1,6 Giga transferts par seconde et par broche. En conséquence, cela a été défini comme le point d'entrée pour la DDR4 SDRAM. Ce taux de transfert devrait atteindre le double de ce niveau, soit 3,2 Giga transferts par seconde, avec des augmentations possibles à ce sujet.
  • Banques de données internes: Les banques internes sont augmentées à 16 (4 bits de sélection de banque) et jusqu'à 8 rangs par DIMM.
  • Tension de fonctionnement: Les puces DDR4 utilisent une alimentation de 1,2 V avec une alimentation auxiliaire de 2,5 V pour le boost de lignes de mots appelé VPP. Ceci est comparé au 1,5 V standard des puces DDR3, avec des variantes de tension inférieure à 1,05 V qui sont devenues disponibles après la première introduction.
  • Bus DQ: . L'une des autres fonctionnalités de performance prévues pour l'inclusion dans la norme DDR4 SDRAM est une interface pseudo-drain ouvert sur le bus DQ.
  • Largeur des données: La DDR4 SDRAM offre trois valeurs de largeur de données: x4, x8 et x16.
  • Pré-extraction: L'architecture DDR4 SDRAM utilise la prélecture 8n avec des groupes bancaires. Cela comprend deux ou quatre groupes de banques sélectionnables. Cela permet à la SDRAM DDR4 d'avoir des opérations d'activation, de lecture, d'écriture ou d'actualisation distinctes en cours dans chacun des groupes de banques uniques. Cette technique augmente la bande passante et l'efficacité de la mémoire. Il est particulièrement adapté aux applications de mémoire où de faibles niveaux de granularité sont requis.
  • Signalisation différentielle: Pour la SDRAM DDR4, l'horloge et les lignes stroboscopiques utilisent une signalisation différentielle.
  • Mises à jour du protocole: Divers changements de protocole ont été introduits sur les mémoires DDR4:
    • Parité sur le bus de commande / adresse
    • CRC sur le bus de données
    • Programmation indépendante de DRAM individuelles sur un DIMM, pour permettre un meilleur contrôle de la terminaison sur puce.
    • Inversion du bus de données

La spécification DDR4 a défini des normes pour les périphériques de mémoire × 4, × 8 et × 16 avec des capacités de 2, 4, 8 et 16 Gib.


Voir la vidéo: They LIED to me! - DDR4 RAM to SSD Adapter (Décembre 2020).